Справочник MOSFET. SIHFP26N60L

 

SIHFP26N60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFP26N60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для SIHFP26N60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP26N60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  vishay
 irfp26n60l irfp26n60lpbf sihfp26n60l.pdf pdf_icon

SIHFP26N60L

IRFP26N60L, SiHFP26N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.21RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler DriveQg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 61 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 ..2. Size:188K  vishay
 irfp26n60l sihfp26n60l.pdf pdf_icon

SIHFP26N60L

IRFP26N60L, SiHFP26N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.21RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler DriveQg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 61 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 7.1. Size:1541K  vishay
 irfp264 sihfp264.pdf pdf_icon

SIHFP26N60L

IRFP264, SiHFP264Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.075RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 210 Fast SwitchingQgs (nC) 35 Ease of ParallelingQgd (nC) 98 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compl

 7.2. Size:1547K  vishay
 sihfp264.pdf pdf_icon

SIHFP26N60L

IRFP264, SiHFP264Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.075RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 210 Fast SwitchingQgs (nC) 35 Ease of ParallelingQgd (nC) 98 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF820SPBF , SIHFP23N50L , SIHFP240 , SIHFP244 , SIHFP250 , SIHFP254 , SIHFP260 , SIHFP264 , IRF4905 , SIHFP27N60K , SIHFP31N50L , SIHFP32N50K , SIHFP340 , SIHFP350 , SIHFP350LC , SIHFP360 , SIHFP360LC .

History: TPA80R750C | SQ4410EY | AONS1R6A70 | AP2344GN-HF | SQJB42EP

 

 
Back to Top

 


 
.