SIHFPE30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFPE30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFPE30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPE30 даташит

 ..1. Size:1527K  vishay
 sihfpe30.pdf pdf_icon

SIHFPE30

IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 9.6 Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

 ..2. Size:1520K  vishay
 irfpe30 sihfpe30.pdf pdf_icon

SIHFPE30

IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 9.6 Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

 ..3. Size:1525K  infineon
 irfpe30 sihfpe30.pdf pdf_icon

SIHFPE30

IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 9.6 Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

 8.1. Size:1531K  vishay
 sihfpe40.pdf pdf_icon

SIHFPE30

IRFPE40, SiHFPE40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 17 Qgd (nC) 72 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D Complia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFP9140, SIHFP9240, SIHFPC40, SIHFPC50, SIHFPC50A, SIHFPC50LC, SIHFPC60, SIHFPC60LC, STP80NF70, SIHFPE40, SIHFPE50, SIHFPF30, SIHFPF40, SIHFPF50, SIHFPG30, SIHFPG40, SIHFPG50