SIHFPG40 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFPG40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
Аналог (замена) для SIHFPG40
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFPG40 даташит
irfpg40 sihfpg40.pdf
IRFPG40, SiHFPG40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.5 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Qgd (nC) 65 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian
irfpg40pbf sihfpg40.pdf
IRFPG40, SiHFPG40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.5 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Qgd (nC) 65 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian
irfpg50 sihfpg50.pdf
IRFPG50, SiHFPG50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 190 Fast Switching Qgs (nC) 23 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Compliant to RoHS Directive 2002/9
sihfpg50.pdf
IRFPG50, SiHFPG50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 190 Fast Switching Qgs (nC) 23 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Compliant to RoHS Directive 2002/9
Другие IGBT... SIHFPC60LC, SIHFPE30, SIHFPE40, SIHFPE50, SIHFPF30, SIHFPF40, SIHFPF50, SIHFPG30, IRF1407, SIHFPG50, SIHFPS37N50A, SIHFPS38N60L, SIHFPS40N50L, SIHFPS40N60K, SIHFPS43N50K, SIHFR010, SIHFR014
History: JCS2N65V | 2SK2949L | JCS2N65R | JCS9AN50CC | JCS2N65MFB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent







