SIHFR014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIHFR014
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIHFR014 Datasheet (PDF)
irfr014 irfu014 sihfr014 sihfu014.pdf

IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESD Dynamic dV/dt rating Surface-mount (IRFR014, SiHFR014)DPAK IPAK Straight lead (IRFU014, SiHFU014)(TO-252) (TO-251)D Available in tape and reelGDAvailable Fast switching Ease of parallelingSG SD Simple drive requirementsGS Material categor
irfr014pbf irfu014pbf sihfr014 sihfu014.pdf

IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Dynamic dV/dt Rating Surface Mount (IRFR014, SiHFR014)Qg (Max.) (nC) 11 Straight Lead (IRFU014, SiHFU014)Qgs (nC) 3.1 Available in Tape and ReelQgd (nC) 5.8 Fast Switching
irfr010 sihfr010.pdf

IRFR010, SiHFR010www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of ParallelingQgs (nC) 2.6 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.8 Material categorization: For definitions of complianceplease see www.vishay.com/doc?
irfr010pbf sihfr010.pdf

IRFR010, SiHFR010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 4.8Configuration Single DESCRIPTIONThe Power MOSFET technology i
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: FDW254P | IXFC80N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560