SIHFR014 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFR014
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SIHFR014
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFR014 даташит
irfr014 irfu014 sihfr014 sihfu014.pdf
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES D Dynamic dV/dt rating Surface-mount (IRFR014, SiHFR014) DPAK IPAK Straight lead (IRFU014, SiHFU014) (TO-252) (TO-251) D Available in tape and reel G D Available Fast switching Ease of paralleling S G S D Simple drive requirements G S Material categor
irfr014pbf irfu014pbf sihfr014 sihfu014.pdf
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Dynamic dV/dt Rating Surface Mount (IRFR014, SiHFR014) Qg (Max.) (nC) 11 Straight Lead (IRFU014, SiHFU014) Qgs (nC) 3.1 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 5.8 Fast Switching
irfr010 sihfr010.pdf
IRFR010, SiHFR010 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Drive Current VDS (V) 50 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Qgs (nC) 2.6 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 4.8 Material categorization For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?
irfr010pbf sihfr010.pdf
IRFR010, SiHFR010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Drive Current VDS (V) 50 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature Stability Qgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qgd (nC) 4.8 Configuration Single DESCRIPTION The Power MOSFET technology i
Другие IGBT... SIHFPG40, SIHFPG50, SIHFPS37N50A, SIHFPS38N60L, SIHFPS40N50L, SIHFPS40N60K, SIHFPS43N50K, SIHFR010, 20N50, SIHFR020, SIHFR024, SIHFR110, SIHFR120, SIHFR1N60A, SIHFR210, SIHFR214, SIHFR220
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560








