SIHFR1N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFR1N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SIHFR1N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFR1N60A даташит

 ..1. Size:244K  vishay
 irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

SIHFR1N60A

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

 ..2. Size:269K  vishay
 irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

SIHFR1N60A

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

 8.1. Size:2013K  vishay
 irfr120pbf irfu120pbf sihfr120 sihfu120.pdf pdf_icon

SIHFR1N60A

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120) Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and Reel Q

 8.2. Size:1455K  vishay
 irfr110 sihfr110.pdf pdf_icon

SIHFR1N60A

IRFR110, SiHFR110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 8.3 Surface Mount (IRFR110, SiHFR110) Qgs (nC) 2.3 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 3.8 Fast Switching Configuration Single

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFPS40N60K, SIHFPS43N50K, SIHFR010, SIHFR014, SIHFR020, SIHFR024, SIHFR110, SIHFR120, 2N60, SIHFR210, SIHFR214, SIHFR220, SIHFR224, SIHFR310, SIHFR320, SIHFR420, SIHFR420A