Справочник MOSFET. SIHFS11N50A

 

SIHFS11N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFS11N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHFS11N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFS11N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  vishay
 irfs11n50apbf sihfs11n50a.pdf pdf_icon

SIHFS11N50A

IRFS11N50A, SiHFS11N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.52 Low Gate Charge Qg results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 52RequirementQgs (nC) 13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgd (nC) 18 Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanc

 9.1. Size:225K  vishay
 irfs9n60a sihfs9n60a.pdf pdf_icon

SIHFS11N50A

IRFS9N60A, SiHFS9N60Awww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20voltage and curr

 9.2. Size:194K  vishay
 irfsl9n60a sihfsl9n60a.pdf pdf_icon

SIHFS11N50A

IRFSL9N60A, SiHFSL9N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 49RequirementQgs (nC) 13 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 20dV/dt RuggednessConfiguration Single Fully Characterized

 9.3. Size:305K  vishay
 irfsl11n50a sihfsl11n50a.pdf pdf_icon

SIHFS11N50A

IRFSL11N50A, SiHFSL11N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 51 Ease of ParallelingQgs (nC) 12 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleDESCRIPTIOND I2PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFR9024 , SIHFR9110 , SIHFR9120 , SIHFR9210 , SIHFR9214 , SIHFR9220 , SIHFR9310 , SIHFRC20 , 5N50 , SIHFS9N60A , SIHFSL11N50A , SIHFSL9N60A , SIHFU014 , SIHFU020 , SIHFU024 , SIHFU110 , SIHFU120 .

 

 
Back to Top

 


 
.