SIHFS9N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFS9N60A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIHFS9N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFS9N60A даташит

 ..1. Size:225K  vishay
 irfs9n60a sihfs9n60a.pdf pdf_icon

SIHFS9N60A

IRFS9N60A, SiHFS9N60A www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600 requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.75 Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49 ruggedness Qgs (nC) 13 Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20 voltage and curr

 ..2. Size:212K  vishay
 sihfs9n60a.pdf pdf_icon

SIHFS9N60A

IRFS9N60A, SiHFS9N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.75 Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 49 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 13 Ruggedness Qgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanch

 9.1. Size:194K  vishay
 irfsl9n60a sihfsl9n60a.pdf pdf_icon

SIHFS9N60A

IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.75 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 49 Requirement Qgs (nC) 13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 20 dV/dt Ruggedness Configuration Single Fully Characterized

 9.2. Size:305K  vishay
 irfsl11n50a sihfsl11n50a.pdf pdf_icon

SIHFS9N60A

IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 51 Ease of Paralleling Qgs (nC) 12 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Single DESCRIPTION D I2PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFR9110, SIHFR9120, SIHFR9210, SIHFR9214, SIHFR9220, SIHFR9310, SIHFRC20, SIHFS11N50A, 2SK2842, SIHFSL11N50A, SIHFSL9N60A, SIHFU014, SIHFU020, SIHFU024, SIHFU110, SIHFU120, SIHFU1N60A