SIHFZ14S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIHFZ14S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHFZ14S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFZ14S даташит
irfz14s irfz14l sihfz14s sihfz14l.pdf
IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S) Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Fast Sw
irfz14l irfz14s irfz14spbf sihfz14l sihfz14s.pdf
IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S) Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Fast Sw
irfz14s sihfz14s sihfz14l.pdf
IRFZ14S, SiHFZ14S, SiHFZ14L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES D Advanced process technology Surface-mount (IRFZ14S, SiHFZ14S) I2PAK (TO-262) D2PAK (TO-263) Low profile through-hole (SiHFZ14L) Available 175 C operating temperature Fast switching Available G Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.c
irfz14 sihfz14.pdf
IRFZ14, SiHFZ14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available 175 C Operating Temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 11 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.1 Qgd (nC) 5.8 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D
Другие IGBT... SIHFU9210, SIHFU9214, SIHFU9220, SIHFU9310, SIHFUC20, SIHFZ10, SIHFZ14, SIHFZ14L, 2N7002, SIHFZ20, SIHFZ24, SIHFZ24S, SIHFZ34, SIHFZ34L, SIHFZ34S, SIHFZ40, SIHFZ44
History: NCEP0107AR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor







