SIHFZ24S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHFZ24S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHFZ24S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFZ24S даташит

 ..1. Size:448K  vishay
 irfz24l irfz24s irfz24spbf sihfz24s.pdf pdf_icon

SIHFZ24S

IRFZ24S, IRFZ24L, SiHFZ24S, SiHFZ24S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Surface Mount (IRFZ24S, SiHFZ24S) Qg (Max.) (nC) 25 Low-ProfileThrough-Hole (IRFZ24L, SiHFZ24L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.8 Fast Sw

 7.1. Size:1229K  vishay
 irfz24pbf sihfz24.pdf pdf_icon

SIHFZ24S

IRFZ24, SiHFZ24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 175 C Operating Temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 25 Ease of Paralleling Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 11 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D DESCRIPTION Third generatio

 7.2. Size:348K  vishay
 irfz24 sihfz24.pdf pdf_icon

SIHFZ24S

IRFZ24, SiHFZ24 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt rating VDS (V) 60 175 C operating temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Fast switching Qg max. (nC) 25 Ease of paralleling Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 11 Simple drive requirements Configuration Single Material categorization for definitions of compliance

 8.1. Size:1837K  vishay
 irfz20pbf sihfz20.pdf pdf_icon

SIHFZ24S

IRFZ20, SiHFZ20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extremely Low RDS(on) VDS (V) 50 Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 17 Low Drive Current Qgs (nC) 9.0 Ease of Paralleling Qgd (nC) 3.0 Excellent Temperature Stability Configuration Single Parts Per Million Quality Compliant to R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFU9310, SIHFUC20, SIHFZ10, SIHFZ14, SIHFZ14L, SIHFZ14S, SIHFZ20, SIHFZ24, IRLB4132, SIHFZ34, SIHFZ34L, SIHFZ34S, SIHFZ40, SIHFZ44, SIHFZ44L, SIHFZ44R, SIHFZ44S