Справочник MOSFET. SIHFZ48RS

 

SIHFZ48RS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFZ48RS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFZ48RS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
 irfz48rl irfz48rlpbf irfz48rs irfz48rspbf sihfz48rl sihfz48rs.pdf pdf_icon

SIHFZ48RS

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si

 ..2. Size:203K  vishay
 irfz48rs irfz48rl sihfz48rs sihfz48rl.pdf pdf_icon

SIHFZ48RS

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si

 6.1. Size:1059K  vishay
 irfz48r sihfz48r.pdf pdf_icon

SIHFZ48RS

IRFZ48R, SiHFZ48RVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 60Available Ultra Low On-ResistanceRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dt Rating RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating Temperature Fast SwitchingQgs (nC) 29 Fully Avalanche RatedQgd (nC) 36 Drop in Replacement of the SiH

 6.2. Size:1061K  vishay
 irfz48r irfz48rpbf sihfz48r.pdf pdf_icon

SIHFZ48RS

IRFZ48R, SiHFZ48RVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 60Available Ultra Low On-ResistanceRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dt Rating RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating Temperature Fast SwitchingQgs (nC) 29 Fully Avalanche RatedQgd (nC) 36 Drop in Replacement of the SiH

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RFM12N20 | IPT007N06N | SIHFPF40 | TSM4415CS | RU1H300Q | STP3NK80Z | NVMFS6B14NL

 

 
Back to Top

 


 
.