SIHG30N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHG30N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHG30N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHG30N60E даташит

 ..1. Size:177K  vishay
 sihg30n60e.pdf pdf_icon

SIHG30N60E

SiHG30N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.125 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 130 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 15 Avalanche energy rated (UIS) Available Qgd (

 9.1. Size:176K  vishay
 sihg33n60ef.pdf pdf_icon

SIHG30N60E

SiHG33N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.098 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 155 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 22 Reduced s

 9.2. Size:179K  vishay
 sihg32n50d.pdf pdf_icon

SIHG30N60E

SiHG32N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.150 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 96 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 18 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 29 - Avalanche Energy Rated (UIS)

 9.3. Size:147K  vishay
 sihg33n60e.pdf pdf_icon

SIHG30N60E

SiHG33N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction Losses Qg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHG22N60S, SIHG22N65E, SIHG23N60E, SIHG24N65E, SIHG25N40D, SIHG25N50E, SIHG28N60EF, SIHG28N65E, RFP50N06, SIHG32N50D, SIHG33N60E, SIHG33N60EF, SIHG460B, SIHG47N60E, SIHG47N60EF, SIHG47N60S, SIHG47N65E