SIHG47N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHG47N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 148 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
Аналог (замена) для SIHG47N60E
SIHG47N60E Datasheet (PDF)
sihg47n60e.pdf
SiHG47N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.064 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 220 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 29AvailableQgd (nC) 57 Avalanche energy ra
sihg47n60ef.pdf
SiHG47N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650technologyRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.065 Reduced trr, Qrr, and IRRMQg max. (nC) 228 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 32 Increased r
sihg47n60s.pdf
SiHG47N60Swww.vishay.comVishay SiliconixS Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Generation OneVDS (V) at TJ max. 650 Low Figure-of-Merit Ron x QgRoHS RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.07COMPLIANT 100 % Avalanche TestedQg max. (nC) 216 Ultra Low Gate ChargeQgs (nC) 39Qgd (nC) 57 Ultra Low RonConfiguration Single Compliant to R
sihg47n60aef.pdf
SiHG47N60AEFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET With Fast Body DiodeFEATURESD Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgTO-247AC Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization: for definitions of complianceSDS please see www.vishay.com
sihg47n60aef.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SIHG47N60AEFFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
