SIHG47N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHG47N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHG47N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHG47N60E даташит

 ..1. Size:191K  vishay
 sihg47n60e.pdf pdf_icon

SIHG47N60E

SiHG47N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.064 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 220 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 29 Available Qgd (nC) 57 Avalanche energy ra

 0.1. Size:191K  vishay
 sihg47n60ef.pdf pdf_icon

SIHG47N60E

SiHG47N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.065 Reduced trr, Qrr, and IRRM Qg max. (nC) 228 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 32 Increased r

 5.1. Size:170K  vishay
 sihg47n60s.pdf pdf_icon

SIHG47N60E

SiHG47N60S www.vishay.com Vishay Siliconix S Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Generation One VDS (V) at TJ max. 650 Low Figure-of-Merit Ron x Qg RoHS RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.07 COMPLIANT 100 % Avalanche Tested Qg max. (nC) 216 Ultra Low Gate Charge Qgs (nC) 39 Qgd (nC) 57 Ultra Low Ron Configuration Single Compliant to R

 5.2. Size:171K  vishay
 sihg47n60aef.pdf pdf_icon

SIHG47N60E

SiHG47N60AEF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode FEATURES D Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg TO-247AC Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses G Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization for definitions of compliance S D S please see www.vishay.com

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHG25N50E, SIHG28N60EF, SIHG28N65E, SIHG30N60E, SIHG32N50D, SIHG33N60E, SIHG33N60EF, SIHG460B, IRF520, SIHG47N60EF, SIHG47N60S, SIHG47N65E, SIHG64N65E, SIHG73N60E, SIHH11N60E, SIHH14N60E, SIHH21N60E