Справочник MOSFET. SIHG73N60E

 

SIHG73N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHG73N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 241 nC
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

 Аналог (замена) для SIHG73N60E

 

 

SIHG73N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  vishay
 sihg73n60e.pdf

SIHG73N60E SIHG73N60E

SiHG73N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 48Available Avalanche energy rated (UIS)Qgd

 9.1. Size:187K  vishay
 sihg70n60ef.pdf

SIHG73N60E SIHG73N60E

SiHG70N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) typ. at 25 C () VGS = 10 V 0.033 Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgQg (Max.) (nC) 380 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 62 Increase

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top