SIHL620 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHL620
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 31 ns
Выходная емкость (Cd): 91 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
SIHL620 Datasheet (PDF)
irl620 sihl620.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRL620, SiHL620Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.80 RoHS* Logic-Level Gate DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 16 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 9.6 Ease of parallelingConfiguration Single
irl620pbf sihl620.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRL620, SiHL620Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.80 RoHS* Logic-Level Gate DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 16 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 9.6 Ease of parallelingConfiguration Single
irl620s sihl620s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRL620S, SiHL620SVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface MountVDS (V) 200Available Available in Tape and ReelRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80RoHS* Dynamic dV/dt RatingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 16 Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.9 Logic Level Gate DriveQgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Singl
irl620spbf sihl620s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRL620S, SiHL620SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 200 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 16 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.9 Logic Level Gate DriveQgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4 V
irl620s sihl620s 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRL620S, SiHL620SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 200 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 16 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.9 Logic Level Gate DriveQgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .