SIHL620. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIHL620
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SIHL620
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHL620 даташит
irl620 sihl620.pdf
IRL620, SiHL620 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.80 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 16 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 2.7 Fast Switching Qgd (nC) 9.6 Ease of paralleling Configuration Single
irl620pbf sihl620.pdf
IRL620, SiHL620 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.80 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 16 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 2.7 Fast Switching Qgd (nC) 9.6 Ease of paralleling Configuration Single
irl620s sihl620s.pdf
IRL620S, SiHL620S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface Mount VDS (V) 200 Available Available in Tape and Reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 RoHS* Dynamic dV/dt Rating COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 16 Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 2.9 Logic Level Gate Drive Qgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Singl
irl620spbf sihl620s.pdf
IRL620S, SiHL620S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 200 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 16 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 2.9 Logic Level Gate Drive Qgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4 V
Другие IGBT... SIHL510, SIHL510S, SIHL520, SIHL520L, SIHL530, SIHL530S, SIHL540, SIHL540S, IRFB7545, SIHL620S, SIHL630, SIHL630S, SIHL640, SIHL640S, SIHLD014, SIHLD024, SIHLD110
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent





