Справочник MOSFET. SIHL640S

 

SIHL640S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHL640S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SMD-220
 

 Аналог (замена) для SIHL640S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHL640S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:915K  vishay
irl640s sihl640s.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640S, SiHL640SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 5 V 0.18 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 38 RDS(on) Specified at VGS = 4 V a

 ..2. Size:917K  vishay
sihl640s.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640S, SiHL640SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 5 V 0.18 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 38 RDS(on) Specified at VGS = 4 V a

 7.1. Size:1708K  vishay
irl640pbf sihl640.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640, SiHL640Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.18RoHS* Logic-Level Gate DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 66 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgs (nC) 9.0 Fast SwitchingQgd (nC) 38 Ease of ParallelingConfiguration Single Si

 7.2. Size:1705K  vishay
irl640 sihl640.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640, SiHL640Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.18RoHS* Logic-Level Gate DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 66 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgs (nC) 9.0 Fast SwitchingQgd (nC) 38 Ease of ParallelingConfiguration Single Si

Другие MOSFET... SIHL530S , SIHL540 , SIHL540S , SIHL620 , SIHL620S , SIHL630 , SIHL630S , SIHL640 , 2N7002 , SIHLD014 , SIHLD024 , SIHLD110 , SIHLD120 , SIHLI520G , SIHLI530G , SIHLI540G , SIHLI620G .

History: HUF75332P3 | AO4202 | IXFT26N50Q | 2SK3430-S

 

 
Back to Top

 


 
.