SIHL640S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHL640S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SMD-220

Аналог (замена) для SIHL640S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHL640S даташит

 ..1. Size:915K  vishay
irl640s sihl640s.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640S, SiHL640S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.18 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 9.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 38 RDS(on) Specified at VGS = 4 V a

 ..2. Size:917K  vishay
sihl640s.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640S, SiHL640S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.18 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 9.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 38 RDS(on) Specified at VGS = 4 V a

 7.1. Size:1708K  vishay
irl640pbf sihl640.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640, SiHL640 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.18 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 66 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 9.0 Fast Switching Qgd (nC) 38 Ease of Paralleling Configuration Single Si

 7.2. Size:1705K  vishay
irl640 sihl640.pdfpdf_icon

SIHL640S

IRL640, SiHL640 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.18 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 66 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 9.0 Fast Switching Qgd (nC) 38 Ease of Paralleling Configuration Single Si

Другие IGBT... SIHL530S, SIHL540, SIHL540S, SIHL620, SIHL620S, SIHL630, SIHL630S, SIHL640, MMIS60R580P, SIHLD014, SIHLD024, SIHLD110, SIHLD120, SIHLI520G, SIHLI530G, SIHLI540G, SIHLI620G