Справочник MOSFET. SIHLD014

 

SIHLD014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLD014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP
 

 Аналог (замена) для SIHLD014

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLD014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1724K  vishay
 irld014 sihld014.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 ..2. Size:1725K  vishay
 irld014pbf sihld014.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 8.1. Size:1694K  vishay
 sihld024.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 8.2. Size:1692K  vishay
 irld024 sihld024.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHL540 , SIHL540S , SIHL620 , SIHL620S , SIHL630 , SIHL630S , SIHL640 , SIHL640S , HY1906P , SIHLD024 , SIHLD110 , SIHLD120 , SIHLI520G , SIHLI530G , SIHLI540G , SIHLI620G , SIHLI630G .

History: BR80N75 | IPW65R420CFD | FDPF18N50T

 

 
Back to Top

 


 
.