SIHLD014. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHLD014

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: HVMDIP

Аналог (замена) для SIHLD014

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLD014 даташит

 ..1. Size:1724K  vishay
 irld014 sihld014.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD014, SiHLD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature

 ..2. Size:1725K  vishay
 irld014pbf sihld014.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD014, SiHLD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature

 8.1. Size:1694K  vishay
 sihld024.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD024, SiHLD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature

 8.2. Size:1692K  vishay
 irld024 sihld024.pdf pdf_icon

SIHLD014

IRLD024, SiHLD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHL540, SIHL540S, SIHL620, SIHL620S, SIHL630, SIHL630S, SIHL640, SIHL640S, AOD4184A, SIHLD024, SIHLD110, SIHLD120, SIHLI520G, SIHLI530G, SIHLI540G, SIHLI620G, SIHLI630G