Справочник MOSFET. SIHLI620G

 

SIHLI620G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLI620G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHLI620G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLI620G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1895K  vishay
 irli620g sihli620g.pdf pdf_icon

SIHLI620G

IRLI620G, SiHLI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.80f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 16COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQgs (nC) 2.7 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 V

 ..2. Size:1897K  vishay
 sihli620g.pdf pdf_icon

SIHLI620G

IRLI620G, SiHLI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.80f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 16COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQgs (nC) 2.7 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 V

 8.1. Size:1706K  vishay
 irli640g sihli640g.pdf pdf_icon

SIHLI620G

IRLI640G, SiHLI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.18f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQg (Max.) (nC) 66 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 9.0 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 VQgd (nC) 38

 8.2. Size:1708K  vishay
 irli640gpbf sihli640g.pdf pdf_icon

SIHLI620G

IRLI640G, SiHLI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.18f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQg (Max.) (nC) 66 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 9.0 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 VQgd (nC) 38

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHL640S , SIHLD014 , SIHLD024 , SIHLD110 , SIHLD120 , SIHLI520G , SIHLI530G , SIHLI540G , IRF3205 , SIHLI630G , SIHLI640G , SIHLIZ14G , SIHLIZ24G , SIHLIZ34G , SIHLIZ44G , SIHLL014 , SIHLL110 .

History: FDA75N28

 

 
Back to Top

 


 
.