SIHLI630G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHLI630G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHLI630G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLI630G даташит

 ..1. Size:1683K  vishay
 sihli630g.pdf pdf_icon

SIHLI630G

IRLI630G, SiHLI630G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 200 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.40 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 40 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.5 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 24 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5V

 8.1. Size:1895K  vishay
 irli620g sihli620g.pdf pdf_icon

SIHLI630G

 8.2. Size:1706K  vishay
 irli640g sihli640g.pdf pdf_icon

SIHLI630G

 8.3. Size:1708K  vishay
 irli640gpbf sihli640g.pdf pdf_icon

SIHLI630G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHLD014, SIHLD024, SIHLD110, SIHLD120, SIHLI520G, SIHLI530G, SIHLI540G, SIHLI620G, IRF740, SIHLI640G, SIHLIZ14G, SIHLIZ24G, SIHLIZ34G, SIHLIZ44G, SIHLL014, SIHLL110, SIHLR014