Справочник MOSFET. SIHLIZ34G

 

SIHLIZ34G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLIZ34G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHLIZ34G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLIZ34G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1637K  vishay
 irliz34g sihliz34g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ34G, SiHLIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mmQgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 ..2. Size:1638K  vishay
 irliz34gpbf sihliz34g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ34G, SiHLIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mmQgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 8.1. Size:1637K  vishay
 irliz14g sihliz14g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ14G, SiHLIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 6.

 8.2. Size:1697K  vishay
 sihliz24g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ24G, SiHLIZ24GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RoHSRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10f = 60 Hz)COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 4.5 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHLI520G , SIHLI530G , SIHLI540G , SIHLI620G , SIHLI630G , SIHLI640G , SIHLIZ14G , SIHLIZ24G , IRF540N , SIHLIZ44G , SIHLL014 , SIHLL110 , SIHLR014 , SIHLR024 , SIHLR110 , SIHLU014 , SIHLU024 .

History: HFP60N06 | CED20P06 | FQD10N20LTF | HPW750N20SPA | UTT6NP10L-TN4-R | IRCP450

 

 
Back to Top

 


 
.