SIHLIZ34G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHLIZ34G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHLIZ34G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLIZ34G даташит

 ..1. Size:1637K  vishay
 irliz34g sihliz34g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ34G, SiHLIZ34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.050 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mm Qgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 ..2. Size:1638K  vishay
 irliz34gpbf sihliz34g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ34G, SiHLIZ34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.050 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mm Qgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 8.1. Size:1637K  vishay
 irliz14g sihliz14g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ14G, SiHLIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 6.

 8.2. Size:1697K  vishay
 sihliz24g.pdf pdf_icon

SIHLIZ34G

IRLIZ24G, SiHLIZ24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RoHS RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 f = 60 Hz) COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 4.5 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHLI520G, SIHLI530G, SIHLI540G, SIHLI620G, SIHLI630G, SIHLI640G, SIHLIZ14G, SIHLIZ24G, IRF540, SIHLIZ44G, SIHLL014, SIHLL110, SIHLR014, SIHLR024, SIHLR110, SIHLU014, SIHLU024