SIHLZ44S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHLZ44S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHLZ44S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLZ44S даташит

 ..1. Size:436K  vishay
irlz44s irlz44spbf sihlz44s.pdfpdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44S, SiHLZ44S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.028 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 43 175 C Operating

 ..2. Size:411K  vishay
irlz44s sihlz44s.pdfpdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44S, SiHLZ44S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.028 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 43 175 C Operating

 7.1. Size:1736K  vishay
irlz44 sihlz44.pdfpdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44, SiHLZ44 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Logic-Level Gate Drive RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.028 RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qg (Max.) (nC) 66 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 12 Fast Switching Qgd (nC) 43 Configuration Single Ease of Paralleling Si

 7.2. Size:1738K  vishay
irlz44pbf sihlz44.pdfpdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44, SiHLZ44 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Logic-Level Gate Drive RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.028 RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qg (Max.) (nC) 66 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 12 Fast Switching Qgd (nC) 43 Configuration Single Ease of Paralleling Si

Другие IGBT... SIHLZ14S, SIHLZ24, SIHLZ24L, SIHLZ24S, SIHLZ34, SIHLZ34L, SIHLZ34S, SIHLZ44, IRFP250N, SIHP10N40D, SIHP12N50C, SIHP12N50E, SIHP12N60E, SIHP12N65E, SIHP14N50D, SIHP15N50E, SIHP15N60E