Справочник MOSFET. SIHLZ44S

 

SIHLZ44S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLZ44S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHLZ44S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLZ44S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  vishay
 irlz44s irlz44spbf sihlz44s.pdf pdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44S, SiHLZ44SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 60 Surface MountRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.028 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 43 175 C Operating

 ..2. Size:411K  vishay
 irlz44s sihlz44s.pdf pdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44S, SiHLZ44SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 60 Surface MountRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.028 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 43 175 C Operating

 7.1. Size:1736K  vishay
 irlz44 sihlz44.pdf pdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44, SiHLZ44Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Logic-Level Gate DriveRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.028RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQg (Max.) (nC) 66 COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 12 Fast SwitchingQgd (nC) 43Configuration Single Ease of Paralleling Si

 7.2. Size:1738K  vishay
 irlz44pbf sihlz44.pdf pdf_icon

SIHLZ44S

IRLZ44, SiHLZ44Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Logic-Level Gate DriveRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.028RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQg (Max.) (nC) 66 COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 12 Fast SwitchingQgd (nC) 43Configuration Single Ease of Paralleling Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHLZ14S , SIHLZ24 , SIHLZ24L , SIHLZ24S , SIHLZ34 , SIHLZ34L , SIHLZ34S , SIHLZ44 , AON7408 , SIHP10N40D , SIHP12N50C , SIHP12N50E , SIHP12N60E , SIHP12N65E , SIHP14N50D , SIHP15N50E , SIHP15N60E .

History: 4N65KL-T2Q-R

 

 
Back to Top

 


 
.