SIHP12N50C - аналоги и даташиты транзистора

 

SIHP12N50C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHP12N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.555 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHP12N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP12N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
 sihp12n50c sihb12n50c sihf12n50c.pdf pdf_icon

SIHP12N50C

SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50CVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560 VRDS(on) ()VGS = 10 V 0.555 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 48 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 12 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 15Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB TO-220 FULLPAK

 ..2. Size:179K  vishay
 sihb12n50c sihf12n50c sihp12n50c.pdf pdf_icon

SIHP12N50C

SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50CVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560 VRDS(on) ()VGS = 10 V 0.555 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 48 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 12 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 15Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB TO-220 FULLPAK

 5.1. Size:158K  vishay
 sihp12n50e.pdf pdf_icon

SIHP12N50C

SiHP12N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.380 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 50 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 10 Materi

 7.1. Size:167K  vishay
 sihp12n65e.pdf pdf_icon

SIHP12N50C

SiHP12N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 70 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 9 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 16 M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHLZ24L , SIHLZ24S , SIHLZ34 , SIHLZ34L , SIHLZ34S , SIHLZ44 , SIHLZ44S , SIHP10N40D , AO3400 , SIHP12N50E , SIHP12N60E , SIHP12N65E , SIHP14N50D , SIHP15N50E , SIHP15N60E , SIHP15N65E , SIHP16N50C .

History: IRF9540SPBF | SIHFZ44S | SIHH26N60E | SIHG32N50D | SIHG47N60EF | PB6D2BX | SIHFZ34

 

 
Back to Top

 


 
.