SIHP25N40D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHP25N40D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHP25N40D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP25N40D даташит

 ..1. Size:208K  vishay
 sihp25n40d.pdf pdf_icon

SIHP25N40D

 7.1. Size:138K  vishay
 sihp25n60efl.pdf pdf_icon

SIHP25N40D

SiHP25N60EFL www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET with Fast Body Diode and Low Gate Charge FEATURES PRODUCT SUMMARY Reduced figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Fast body diode MOSFET using E series RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.127 technology Qg (Max.) (nC) 75 Reduced trr, Qrr, and IRRM Qgs (nC) 17 Increased robust

 7.2. Size:158K  vishay
 sihp25n50e.pdf pdf_icon

SIHP25N40D

SiHP25N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.145 Reduced switching and conduction losses Qg (Max.) (nC) 86 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 14 Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS) Config

 9.1. Size:165K  vishay
 sihp28n65e.pdf pdf_icon

SIHP25N40D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHP17N60D, SIHP18N50C, SIHP20N50E, SIHP22N60E, SIHP22N60S, SIHP22N65E, SIHP23N60E, SIHP24N65E, 12N60, SIHP25N50E, SIHP28N60EF, SIHP28N65E, SIHP30N60E, SIHP33N60E, SIHP33N60EF, SIHP5N50D, SIHP6N40D