SIHP30N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHP30N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHP30N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP30N60E даташит

 ..1. Size:201K  vishay
 sihp30n60e.pdf pdf_icon

SIHP30N60E

 9.1. Size:146K  vishay
 sihp33n60e.pdf pdf_icon

SIHP30N60E

SiHP33N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction Losses Qg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

 9.2. Size:159K  vishay
 sihp33n60ef.pdf pdf_icon

SIHP30N60E

SiHP33N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.098 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 155 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 22 Reduced s

Другие IGBT... SIHP22N60S, SIHP22N65E, SIHP23N60E, SIHP24N65E, SIHP25N40D, SIHP25N50E, SIHP28N60EF, SIHP28N65E, AON6380, SIHP33N60E, SIHP33N60EF, SIHP5N50D, SIHP6N40D, SIHP6N65E, SIHP7N60E, SIHP8N50D, SIHS20N50C