SIHP33N60EF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SIHP33N60EF. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHP33N60EF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHP33N60EF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP33N60EF даташит

 ..1. Size:159K  vishay
 sihp33n60ef.pdf pdf_icon

SIHP33N60EF

SiHP33N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.098 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 155 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 22 Reduced s

 4.1. Size:146K  vishay
 sihp33n60e.pdf pdf_icon

SIHP33N60EF

SiHP33N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction Losses Qg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

 9.1. Size:201K  vishay
 sihp30n60e.pdf pdf_icon

SIHP33N60EF

Другие MOSFET... SIHP23N60E , SIHP24N65E , SIHP25N40D , SIHP25N50E , SIHP28N60EF , SIHP28N65E , SIHP30N60E , SIHP33N60E , CS150N03A8 , SIHP5N50D , SIHP6N40D , SIHP6N65E , SIHP7N60E , SIHP8N50D , SIHS20N50C , SIHS36N50D , SIHU3N50D .

History: JMSL1009AKQ | JMTG28DN10D | JMTG100N04A | JMSL1008AC | JMTG062N04D

 

 
Back to Top

 


 
.