Справочник MOSFET. SIHP33N60EF

 

SIHP33N60EF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SIHP33N60EF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 103 nC

Время нарастания (tr): 43 ns

Выходная емкость (Cd): 154 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHP33N60EF

 

 

SIHP33N60EF Datasheet (PDF)

1.1. sihp33n60ef.pdf Size:159K _upd-mosfet

SIHP33N60EF
SIHP33N60EF

SiHP33N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY • Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology • Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.098 • Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 155 • Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 22 • Reduced s

1.2. sihp33n60e.pdf Size:146K _upd-mosfet

SIHP33N60EF
SIHP33N60EF

SiHP33N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 • Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C () VGS = 10 V 0.099 • Reducted Switching and Conduction Losses Qg (Max.) (nC) 150 • Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 42 • Avalanche Energy Rated (UIS

 5.1. sihp30n60e.pdf Size:201K _upd-mosfet

SIHP33N60EF
SIHP33N60EF

SiHP30N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 • Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C () VGS = 10 V 0.125 • Reduced Switching and Conduction Losses Qg max. (nC) 130 • Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 15 • Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd (nC) 39

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top