Справочник MOSFET. SIHP5N50D

 

SIHP5N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHP5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHP5N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  vishay
 sihp5n50d.pdf pdf_icon

SIHP5N50D

SiHP5N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.5- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 20- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 3- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 5 - Avalanche Energy Rated (UIS)

Другие MOSFET... SIHP24N65E , SIHP25N40D , SIHP25N50E , SIHP28N60EF , SIHP28N65E , SIHP30N60E , SIHP33N60E , SIHP33N60EF , IRFP450 , SIHP6N40D , SIHP6N65E , SIHP7N60E , SIHP8N50D , SIHS20N50C , SIHS36N50D , SIHU3N50D , SIHU3N50DA .

History: 2SK3255 | FDS9933A | 2N6791LCC4

 

 
Back to Top

 


 
.