SIHP6N40D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHP6N40D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHP6N40D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHP6N40D даташит

 ..1. Size:214K  vishay
 sihp6n40d.pdf pdf_icon

SIHP6N40D

SiHP6N40D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 450 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.0 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 18 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 3 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 4 - Avalanche Energy Rated (UIS) Conf

 8.1. Size:166K  vishay
 sihp6n65e.pdf pdf_icon

SIHP6N40D

SiHP6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 Mat

Другие IGBT... SIHP25N40D, SIHP25N50E, SIHP28N60EF, SIHP28N65E, SIHP30N60E, SIHP33N60E, SIHP33N60EF, SIHP5N50D, AON7506, SIHP6N65E, SIHP7N60E, SIHP8N50D, SIHS20N50C, SIHS36N50D, SIHU3N50D, SIHU3N50DA, SIHU5N50D