SIHP8N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHP8N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 52 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
SIHP8N50D Datasheet (PDF)
..1. Size:213K vishay
sihp8n50d.pdf
sihp8n50d.pdf
SiHP8N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.85- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 30- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 4- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 7 - Avalanche Energy Rated (UIS)
Другие MOSFET... SIHP28N65E , SIHP30N60E , SIHP33N60E , SIHP33N60EF , SIHP5N50D , SIHP6N40D , SIHP6N65E , SIHP7N60E , IRFP450 , SIHS20N50C , SIHS36N50D , SIHU3N50D , SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , SIHU7N60E .
