SIHU6N65E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHU6N65E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SIHU6N65E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHU6N65E даташит

 ..1. Size:132K  vishay
 sihu6n65e.pdf pdf_icon

SIHU6N65E

SiHU6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 Mat

 7.1. Size:175K  vishay
 sihu6n62e.pdf pdf_icon

SIHU6N65E

SiHU6N62E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 34 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 8 Mate

Другие IGBT... SIHP7N60E, SIHP8N50D, SIHS20N50C, SIHS36N50D, SIHU3N50D, SIHU3N50DA, SIHU5N50D, SIHU6N62E, 10N65, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E, FMA49N20T2, FMB16N50E, FMB80N10T2