SIHU7N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHU7N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SIHU7N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHU7N60E даташит

 ..1. Size:169K  vishay
 sihu7n60e.pdf pdf_icon

SIHU7N60E

SiHU7N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.6 Reduced Switching and Conduction Losses Qg max. (nC) 40 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 5 Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd (nC) 9 Mate

Другие IGBT... SIHP8N50D, SIHS20N50C, SIHS36N50D, SIHU3N50D, SIHU3N50DA, SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, 5N60, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E, FMA49N20T2, FMB16N50E, FMB80N10T2, FMC03N60E