Справочник MOSFET. SIHU7N60E

 

SIHU7N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHU7N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SIHU7N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHU7N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
 sihu7n60e.pdf pdf_icon

SIHU7N60E

SiHU7N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 40 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 5 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 9 Mate

Другие MOSFET... SIHP8N50D , SIHS20N50C , SIHS36N50D , SIHU3N50D , SIHU3N50DA , SIHU5N50D , SIHU6N62E , SIHU6N65E , 13N50 , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , SIHW73N60E , FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E .

History: WMT07N06TS | BF960S | 2N6782-SM

 

 
Back to Top

 


 
.