Справочник MOSFET. SIHW30N60E

 

SIHW30N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHW30N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD

 Аналог (замена) для SIHW30N60E

 

 

SIHW30N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  vishay
 sihw30n60e.pdf

SIHW30N60E SIHW30N60E

SiHW30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

 9.1. Size:145K  vishay
 sihw33n60e.pdf

SIHW30N60E SIHW30N60E

SiHW33N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction LossesQg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 24Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top