Справочник MOSFET. SIHW47N60E

 

SIHW47N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHW47N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 147 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
 

 Аналог (замена) для SIHW47N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHW47N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  vishay
 sihw47n60e.pdf pdf_icon

SIHW47N60E

SiHW47N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.064 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 220 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 36 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 60

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.