SIHW47N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHW47N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO-247AD

Аналог (замена) для SIHW47N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHW47N60E даташит

 ..1. Size:147K  vishay
 sihw47n60e.pdf pdf_icon

SIHW47N60E

Другие IGBT... SIHU3N50D, SIHU3N50DA, SIHU5N50D, SIHU6N62E, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, AO3407, SIHW73N60E, FMA49N20T2, FMB16N50E, FMB80N10T2, FMC03N60E, FMC05N50E, FMC05N60E, FMC06N60ES