FMB80N10T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMB80N10T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm

Тип корпуса: T-PACK-SJ

Аналог (замена) для FMB80N10T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMB80N10T2 даташит

 ..1. Size:458K  fuji
 fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf pdf_icon

FMB80N10T2

SPECIFICATION Device Name Power MOSFET FMI80N10T2 (T-pack L) FMC80N10T2 (T-pack S) Type Name FMB80N10T2 (T-pack SJ) Spec. No. MS5F6118 Date Jun.-17-2005 NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Jun.-17-'05 a CHECKED Jun.-17-'05 b MS5F6118 1 / 22 CHECKED Jun.-17-'05 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

Другие IGBT... SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E, FMA49N20T2, FMB16N50E, IRF2807, FMC03N60E, FMC05N50E, FMC05N60E, FMC06N60ES, FMC07N50E, FMC10N60E, FMC11N60E, FMC12N50E