Справочник MOSFET. FMB80N10T2

 

FMB80N10T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMB80N10T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-SJ
 

 Аналог (замена) для FMB80N10T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMB80N10T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  fuji
 fmb80n10t2 fmc80n10t2 fmi80n10t2.pdf pdf_icon

FMB80N10T2

SPECIFICATIONDevice Name : Power MOSFETFMI80N10T2 (T-pack L)FMC80N10T2 (T-pack S)Type Name:FMB80N10T2 (T-pack SJ)Spec. No. :MS5F6118Date : Jun.-17-2005NAMEDATE APPROVEDFuji Electric Device Technology Co.,Ltd.DRAWN Jun.-17-'05aCHECKED Jun.-17-'05bMS5F6118 1 / 22CHECKED Jun.-17-'05H04-004-05This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji E

Другие MOSFET... SIHU6N65E , SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , SIHW73N60E , FMA49N20T2 , FMB16N50E , IRFB31N20D , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , FMC10N60E , FMC11N60E , FMC12N50E .

History: BF960S | 2N6782-SM | IRF7855

 

 
Back to Top

 


 
.