FMC05N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMC05N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: T-PACK-S

Аналог (замена) для FMC05N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMC05N60E даташит

 ..1. Size:518K  fuji
 fmc05n60e.pdf pdf_icon

FMC05N60E

FMC05N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(S) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

 8.1. Size:416K  fuji
 fmc05n50e.pdf pdf_icon

FMC05N60E

FMC05N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(S) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E, FMA49N20T2, FMB16N50E, FMB80N10T2, FMC03N60E, FMC05N50E, 2N60, FMC06N60ES, FMC07N50E, FMC10N60E, FMC11N60E, FMC12N50E, FMC12N50ES, FMC12N60ES, FMC13N60E