Справочник MOSFET. FMH17N60ES

 

FMH17N60ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMH17N60ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P-Q
 

 Аналог (замена) для FMH17N60ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH17N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  fuji
 fmh17n60es.pdf pdf_icon

FMH17N60ES

FMH17N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V

Другие MOSFET... FMH06N90E , FMH07N90E , FMH09N90E , FMH11N90E , FMH13N60ES , FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , IRFZ44N , FMH19N60E , FMH19N60ES , FMH20N50E , FMH20N50ES , FMH21N50ES , FMH23N50ES , FMH23N60E , FMH23N60ES .

History: BSB017N03LX3

 

 
Back to Top

 


 
.