Справочник MOSFET. FMH19N60E

 

FMH19N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMH19N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.365 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P-Q
 

 Аналог (замена) для FMH19N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH19N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  fuji
 fmh19n60e.pdf pdf_icon

FMH19N60E

FMH19N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

 0.1. Size:520K  fuji
 fmh19n60es.pdf pdf_icon

FMH19N60E

FMH19N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P(Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V

Другие MOSFET... FMH07N90E , FMH09N90E , FMH11N90E , FMH13N60ES , FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES , IRF3205 , FMH19N60ES , FMH20N50E , FMH20N50ES , FMH21N50ES , FMH23N50ES , FMH23N60E , FMH23N60ES , FMH28N50E .

History: STB190NF04 | PDEC2210V | HSCB2016

 

 
Back to Top

 


 
.