FMH19N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH19N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.365 Ohm

Тип корпуса: TO-3P-Q

Аналог (замена) для FMH19N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH19N60E даташит

 ..1. Size:502K  fuji
 fmh19n60e.pdf pdf_icon

FMH19N60E

FMH19N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

 0.1. Size:520K  fuji
 fmh19n60es.pdf pdf_icon

FMH19N60E

FMH19N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.5V

Другие IGBT... FMH07N90E, FMH09N90E, FMH11N90E, FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, IRF3205, FMH19N60ES, FMH20N50E, FMH20N50ES, FMH21N50ES, FMH23N50ES, FMH23N60E, FMH23N60ES, FMH28N50E