FMH20N50ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH20N50ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: TO-3P-Q

Аналог (замена) для FMH20N50ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH20N50ES даташит

 ..1. Size:504K  fuji
fmh20n50es.pdfpdf_icon

FMH20N50ES

FMH20N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P (Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.5

 5.1. Size:439K  fuji
fmh20n50e.pdfpdf_icon

FMH20N50ES

FMH20N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

 5.2. Size:256K  inchange semiconductor
fmh20n50e.pdfpdf_icon

FMH20N50ES

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH20N50E FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-S

 8.1. Size:701K  fuji
fmh20n60s1.pdfpdf_icon

FMH20N50ES

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMH20N60S1 FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Pb-free lead terminal TO-3P(Q) 3.2 0.1 15.5max 1.5 0.2 13 0.2 4.5 0.2 RoHS compliant 10 0.2 Drain Applications For switching +0.3 +0.3 1.6 -0.1 1.6 -0.1 +0.3 2.2 -0

Другие IGBT... FMH13N60ES, FMH16N50E, FMH16N50ES, FMH16N60ES, FMH17N60ES, FMH19N60E, FMH19N60ES, FMH20N50E, 20N60, FMH21N50ES, FMH23N50ES, FMH23N60E, FMH23N60ES, FMH28N50E, FMH28N50ES, FMH30N60S1, FMH47N60S1