Справочник MOSFET. FMH21N50ES

 

FMH21N50ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMH21N50ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P-Q
 

 Аналог (замена) для FMH21N50ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH21N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  fuji
 fmh21n50es.pdf pdf_icon

FMH21N50ES

FMH21N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P (Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5

Другие MOSFET... FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES , FMH19N60E , FMH19N60ES , FMH20N50E , FMH20N50ES , IRF540 , FMH23N50ES , FMH23N60E , FMH23N60ES , FMH28N50E , FMH28N50ES , FMH30N60S1 , FMH47N60S1 , FMI03N60E .

History: IXTK102N30P | SM4383NSKP | HAF2012 | SM4387NSKP | CHM4892JGP

 

 
Back to Top

 


 
.