FMH21N50ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FMH21N50ES
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO-3P-Q
Аналог (замена) для FMH21N50ES
FMH21N50ES Datasheet (PDF)
fmh21n50es.pdf

FMH21N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3P (Q)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5
Другие MOSFET... FMH16N50E , FMH16N50ES , FMH16N60ES , FMH17N60ES , FMH19N60E , FMH19N60ES , FMH20N50E , FMH20N50ES , IRF540 , FMH23N50ES , FMH23N60E , FMH23N60ES , FMH28N50E , FMH28N50ES , FMH30N60S1 , FMH47N60S1 , FMI03N60E .
History: STE180N05 | APT6035SVR | 2N6781LCC4 | FDMB3800N | FK7KM-12 | FQP3P20 | IRF630MFP
History: STE180N05 | APT6035SVR | 2N6781LCC4 | FDMB3800N | FK7KM-12 | FQP3P20 | IRF630MFP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor