FMH47N60S1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH47N60S1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FMH47N60S1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH47N60S1 даташит

 ..1. Size:509K  fuji
 fmh47n60s1.pdf pdf_icon

FMH47N60S1

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMH47N60S1 FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance 3.2 0.1 TO-3P 15.5max 13 0.2 1.5 0.2 Low switching loss 10 0.2 4.5 0.2 easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications

 0.1. Size:258K  inchange semiconductor
 fmh47n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH47N60S1

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH47N60S1FD FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drai

Другие IGBT... FMH20N50ES, FMH21N50ES, FMH23N50ES, FMH23N60E, FMH23N60ES, FMH28N50E, FMH28N50ES, FMH30N60S1, IRLZ44N, FMI03N60E, FMI05N50E, FMI05N60E, FMI06N60ES, FMI07N50E, FMI10N60E, FMI11N60E, FMI12N50E