Справочник MOSFET. FMI12N50ES

 

FMI12N50ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMI12N50ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-L
 

 Аналог (замена) для FMI12N50ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI12N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  fuji
fmi12n50es.pdfpdf_icon

FMI12N50ES

FMI12N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack (L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.70.

 5.1. Size:448K  fuji
fmi12n50e.pdfpdf_icon

FMI12N50ES

FMI12N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

 8.1. Size:529K  fuji
fmi12n60es.pdfpdf_icon

FMI12N50ES

FMI12N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5

Другие MOSFET... FMI03N60E , FMI05N50E , FMI05N60E , FMI06N60ES , FMI07N50E , FMI10N60E , FMI11N60E , FMI12N50E , IRFP250N , FMI12N60ES , FMI13N60E , FMI13N60ES , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E .

History: H5N3004P

 

 
Back to Top

 


 
.