FMI13N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMI13N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: T-PACK-L

Аналог (замена) для FMI13N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI13N60E даташит

 ..1. Size:471K  fuji
 fmi13n60e.pdf pdf_icon

FMI13N60E

FMI13N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(L) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

 0.1. Size:536K  fuji
 fmi13n60es.pdf pdf_icon

FMI13N60E

FMI13N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(L) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (

Другие IGBT... FMI05N60E, FMI06N60ES, FMI07N50E, FMI10N60E, FMI11N60E, FMI12N50E, FMI12N50ES, FMI12N60ES, P55NF06, FMI13N60ES, FMI16N50E, FMI16N50ES, FMI16N60E, FMI16N60ES, FMI20N50E, FMI20N50ES, FMI80N10T2