FML13N60ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FML13N60ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TFP

Аналог (замена) для FML13N60ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FML13N60ES даташит

 ..1. Size:310K  fuji
 fml13n60es.pdf pdf_icon

FML13N60ES

http //www.fujisemi.com FML13N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TFP 9.0 0.2 7.0 0.2 0.4 0.1 Lower R (on) characteristic DS 4 More controllable switching dv/dt by gate resistance 4 D Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow

Другие IGBT... FMI16N50ES, FMI16N60E, FMI16N60ES, FMI20N50E, FMI20N50ES, FMI80N10T2, FML12N50ES, FML12N60ES, IRF4905, FML16N50ES, FML16N60ES, FML20N50ES, FS100KMJ-03F, FS100UMJ-03F, FS100VSJ-03F, FS10AS-06, FS10AS-2