Справочник MOSFET. FML13N60ES

 

FML13N60ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FML13N60ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TFP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FML13N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  fuji
 fml13n60es.pdf pdf_icon

FML13N60ES

http://www.fujisemi.comFML13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTFP9.00.27.00.2 0.40.1Lower R (on) characteristicDS4More controllable switching dv/dt by gate resistance4 DSmaller V ringing waveform during switchingGSNarrow

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK3069 | BF964S | 2SK3133L | BSC032N03SG | SLF7N60C | 8N70 | IPB180N04S4L-H0

 

 
Back to Top

 


 
.