Справочник MOSFET. FML13N60ES

 

FML13N60ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FML13N60ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TFP
 

 Аналог (замена) для FML13N60ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FML13N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  fuji
 fml13n60es.pdf pdf_icon

FML13N60ES

http://www.fujisemi.comFML13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTFP9.00.27.00.2 0.40.1Lower R (on) characteristicDS4More controllable switching dv/dt by gate resistance4 DSmaller V ringing waveform during switchingGSNarrow

Другие MOSFET... FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E , FMI20N50ES , FMI80N10T2 , FML12N50ES , FML12N60ES , IRF4905 , FML16N50ES , FML16N60ES , FML20N50ES , FS100KMJ-03F , FS100UMJ-03F , FS100VSJ-03F , FS10AS-06 , FS10AS-2 .

History: SQ1912AEEH | NCE8290 | IRFI9640GPBF | IXTA76N25T | SFF75N08M | 2SK3018LT1 | DH033N04P

 

 
Back to Top

 


 
.