FML16N50ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FML16N50ES
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TFP
FML16N50ES Datasheet (PDF)
fml16n50es.pdf

http://www.fujisemi.comFML16N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTFP9.00.27.00.2 0.40.1Lower R (on) characteristicDS4More controllable switching dv/dt by gate resistance4 DSmaller V ringing waveform during switchingGSNarrow
fml16n60es.pdf

http://www.fujisemi.comFML16N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTFP9.00.27.00.2 0.40.1Lower R (on) characteristicDS4More controllable switching dv/dt by gate resistance4 DSmaller V ringing waveform during switchingGSNarrow
Другие MOSFET... FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E , FMI20N50ES , FMI80N10T2 , FML12N50ES , FML12N60ES , FML13N60ES , 5N60 , FML16N60ES , FML20N50ES , FS100KMJ-03F , FS100UMJ-03F , FS100VSJ-03F , FS10AS-06 , FS10AS-2 , FS10AS-3 .
History: RFP7N10LE
History: RFP7N10LE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet