Справочник MOSFET. FML20N50ES

 

FML20N50ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FML20N50ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TFP
 

 Аналог (замена) для FML20N50ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FML20N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  fuji
 fml20n50es.pdf pdf_icon

FML20N50ES

http://www.fujisemi.comFML20N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTFP9.00.27.00.2 0.40.1Lower R (on) characteristicDS4More controllable switching dv/dt by gate resistance4 DSmaller V ringing waveform during switchingGSNarrow

Другие MOSFET... FMI20N50E , FMI20N50ES , FMI80N10T2 , FML12N50ES , FML12N60ES , FML13N60ES , FML16N50ES , FML16N60ES , SPP20N60C3 , FS100KMJ-03F , FS100UMJ-03F , FS100VSJ-03F , FS10AS-06 , FS10AS-2 , FS10AS-3 , FS10ASJ-06F , FS10ASJ-2 .

History: GKI06109 | VB1240X

 

 
Back to Top

 


 
.