FTD2011 - аналоги и даташиты транзистора

 

FTD2011 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FTD2011
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для FTD2011

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTD2011 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  sanyo
 ftd2011.pdf pdf_icon

FTD2011

Ordering number:ENN6072AN-Channel Silicon MOSFETFTD2011Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2011] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 4 3 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source2

 ..2. Size:74K  kexin
 ftd2011.pdf pdf_icon

FTD2011

SMD Type MOSFETDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFTD2011TSSOP-8Unit: mm Features RDS(ON)=30m Max. @VGS=4V RDS(ON)=45m Max. @VGS=2.5V1 : Drain12 : Source13 : Source14 : Gate15 : Gate26 : Source2D1D27 : Source2S1S2 8 : Drain2S1 S2G1G2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VG

 8.1. Size:41K  sanyo
 ftd2014.pdf pdf_icon

FTD2011

Ordering number:ENN6267N-Channel Silicon MOSFETFTD2014Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2014] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 43 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source2

 8.2. Size:42K  sanyo
 ftd2019.pdf pdf_icon

FTD2011

Ordering number:ENN6383N-Channel Silicon MOSFETFTD2019Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2019] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 4 3 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source28

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FS70VSJ-2 , FS7KM-12A , FS7VS-12A , FSS264 , FSS273 , FSS275 , FSS804 , FTCO3V455A1 , IRF3710 , FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , FTK830 , FTK840 .

History: FDBL0120N40 | FSS804 | STD10N10LT4 | 2SJ45 | JMSL0303AK | FDBL0065N40 | CEH3456

 

 
Back to Top

 


 
.