Справочник MOSFET. FW389

 

FW389 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FW389
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FW389 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  onsemi
fw389.pdfpdf_icon

FW389

Ordering number : ENA2066AFW389Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 2A, 225m , 100V, 2A, 300m , Complementary Dual SOIC8Features ON-resistance Nch : RDS(on)1=165m (typ.) Input Capacitance Nch : Ciss=490pF(typ.) Pch : RDS(on)1=230m (typ.) Pch : Ciss=1000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecifications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: C2T212 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.