FW389 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FW389
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для FW389
FW389 Datasheet (PDF)
fw389.pdf

Ordering number : ENA2066AFW389Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 2A, 225m , 100V, 2A, 300m , Complementary Dual SOIC8Features ON-resistance Nch : RDS(on)1=165m (typ.) Input Capacitance Nch : Ciss=490pF(typ.) Pch : RDS(on)1=230m (typ.) Pch : Ciss=1000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecifications
Другие MOSFET... FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , FTK830 , FTK840 , FW217A , FW297 , FW344A , AO3400 , FW4604 , FX20ASJ-03F , FX20ASJ-06 , FX20ASJ-2 , FX20KMJ-03 , FX20KMJ-06 , FX20KMJ-2 , FX20KMJ-3 .
History: SIHFI740GLC
History: SIHFI740GLC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400