FW389. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FW389

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для FW389

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW389 даташит

 ..1. Size:939K  onsemi
 fw389.pdf pdf_icon

FW389

Ordering number ENA2066A FW389 Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 2A, 225m , 100V, 2A, 300m , Complementary Dual SOIC8 Features ON-resistance Nch RDS(on)1=165m (typ.) Input Capacitance Nch Ciss=490pF(typ.) Pch RDS(on)1=230m (typ.) Pch Ciss=1000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications

Другие IGBT... FTK3857T, FTK50N06, FTK630, FTK830, FTK840, FW217A, FW297, FW344A, IRF9540, FW4604, FX20ASJ-03F, FX20ASJ-06, FX20ASJ-2, FX20KMJ-03, FX20KMJ-06, FX20KMJ-2, FX20KMJ-3