Справочник MOSFET. IRLIZ44N

 

IRLIZ44N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLIZ44N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRLIZ44N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLIZ44N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  international rectifier
irliz44n.pdfpdf_icon

IRLIZ44N

PD - 9.1498AIRLIZ44NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process Technology VDSS = 55V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.022 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 30ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremel

 ..2. Size:256K  international rectifier
irliz44npbf.pdfpdf_icon

IRLIZ44N

PD - 95456IRLIZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDl Isolated Package VDSS = 55Vl High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.022l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 30ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu

 ..3. Size:499K  infineon
irliz44npbf.pdfpdf_icon

IRLIZ44N

IRLIZ44NPbF Logic Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated Package VDSS 55V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) 0.022 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated ID 30A Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tec

 ..4. Size:200K  inchange semiconductor
irliz44n.pdfpdf_icon

IRLIZ44N

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRLIZ44NFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.