Справочник MOSFET. FY4ADJ-03A

 

FY4ADJ-03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FY4ADJ-03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FY4ADJ-03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  renesas
 fy4adj-03a.pdf pdf_icon

FY4ADJ-03A

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SL80N03 | FQI5P10TU | K2837B | APT6025BVR | IRF7306PBF | RFH25P08 | IPB60R299CPA

 

 
Back to Top

 


 
.