FY8ABJ-03 - описание и поиск аналогов

 

FY8ABJ-03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FY8ABJ-03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для FY8ABJ-03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FY8ABJ-03 даташит

 ..1. Size:196K  renesas
 fy8abj-03.pdf pdf_icon

FY8ABJ-03

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... FY12AAJ-03F , FY14AAJ-03F , FY4ADJ-03A , FY4AEJ-03 , FY5ACJ-03F , FY6ACJ-03A , FY7BCH-02F , FY8AAJ-03F , 20N50 , IRF8252PBF , IRF8252PBF-1 , IRF8313PBF , IRF8327SPBF , IRF840ALPBF , IRF840APBF , IRF840ASPBF , IRF840B .

History: SSS12N60 | G1601 | SI2301

 

 

 

 

↑ Back to Top
.