Справочник MOSFET. IRF840SPBF

 

IRF840SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF840SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF840SPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF840SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  international rectifier
irf840spbf.pdfpdf_icon

IRF840SPBF

PD-95136IRF840SPbF Lead-FreeD2Pak05/10/04Document Number: 91071 www.vishay.com1IRF840SPbFDocument Number: 91071 www.vishay.com2IRF840SPbFDocument Number: 91071 www.vishay.com3IRF840SPbFDocument Number: 91071 www.vishay.com4IRF840SPbFDocument Number: 91071 www.vishay.com5IRF840SPbFDocument Number: 91071 www.vishay.com6IRF840SPbFDocument Numb

 ..2. Size:194K  vishay
irf840spbf sihf840s.pdfpdf_icon

IRF840SPBF

IRF840S, SiHF840SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 63 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 9.3 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 32 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sin

 7.1. Size:172K  international rectifier
irf840s.pdfpdf_icon

IRF840SPBF

 7.2. Size:1039K  vishay
irf840s sihf840s.pdfpdf_icon

IRF840SPBF

IRF840S, SiHF840SVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface MountVDS (V) 500 Available in Tape and Reel AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Dynamic dV/dt RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 63COMPLIANT Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.3 Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requireme

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF1010ZLPBF

 

 
Back to Top

 


 
.