IRF8707PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8707PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.35 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.2 nC
Время нарастания (tr): 7.9 ns
Выходная емкость (Cd): 170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0119 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF8707PBF
IRF8707PBF Datasheet (PDF)
irf8707pbf.pdf
PD - 96118AIRF8707PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsAA1 8BenefitsS Dl Very Low Gate Charge 2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4
irf8707pbf.pdf
PD - 96118AIRF8707PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsAA1 8BenefitsS Dl Very Low Gate Charge 2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4
irf8707pbf-1.pdf
IRF8707PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 V AA1 8S DRDS(on) max 11.92 7(@V = 10V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D17.5(@V = 4.5V)GS4 5G DQg (typical) 6.2 nCSO-8ID Top View11.0 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingR
irf8707gpbf.pdf
PD - 96264IRF8707GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Ultra-Low Gate ImpedanceS D
irf8707gpbf.pdf
PD - 96264IRF8707GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Ultra-Low Gate ImpedanceS D
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
